Nitride semiconductors on silicon substrate and manufacturing method thereof

본 발명은 Si 기판 상에 형성된 질화물 반도체 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 실리콘 기판; 상기 실리콘 기판 상에 형성된 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 형성되며 void를 함유한 중간층; 상기 중간층 상에 형성된 평탄화층; 및 상기 평탄화층 상에 형성된 질화물 반도체층;을 포함하는 질화물 반도체 및 그 제조 방법을 제공한다. 따라서, 내부의 결정 결함, 전위 또는 크랙의 발생을 크게 감소시킨 질화물 반도체를 저비용으로 대량 생산이 가능하다.