基板処理装置，基板処理方法，プログラム，プログラムを記録した記録媒体

【課題】下地との界面がより平坦（フラット）で均一なＴｉシリサイド膜を形成することができ，これにより一層低抵抗なコンタクトを形成することがきる。 【解決手段】基板処理装置１００は，処理室１０４Ａ〜１０４Ｄに共通に連結される第１共通搬送室１０２と，処理室１０４Ｅ，１０４Ｆに共通に連結される第２共通搬送室１２０とを備える。各処理室１０４Ｅ，１０４Ｆ，１０４Ａ，１０４Ｃ，１０４Ｂはそれぞれ，Ｓｉウエハ上の自然酸化膜を含む異物とガス成分とを化学反応させて生成物を生成するＣＯＲ処理室，Ｓｉウエハ上に生成された生成物を熱処理により除去するＰＨＴ処理室，ＳｉウエハのＳｉ表面上にＴｉ膜を成膜するＴｉ膜成膜処理室，Ｔｉ膜と下地との間で珪化反応を起させてＴｉシリサイド膜を形成するシリサイド形成処理室，Ｔｉシリサイド膜上にＴｉＮ膜を成膜するＴｉＮ膜成膜処理室として構成した。 【選択図】図１３