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ゲルマニウムの金属-酸化物-半導体デバイス用のLu 2 O 3 /Al 2 O 3 ゲート絶縁体
ゲルマニウムの金属-酸化物-半導体デバイス用のLu 2 O 3 /Al 2 O 3 ゲート絶縁体
2008
Peter Darmawan
Mei Yin Chan
T.S. Zhang
Y. Setiawan
H.L. Seng
T. K. Chan
Thomas Osipowicz
Pooi See Lee
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