Eléments de mémoire non volatile

L'invention concerne des elements de memoire non volatile qui sont fondes sur des couches d'elements de memoire a commutation resistive. Un element de memoire non volatile peut avoir une couche en oxyde de metal a commutation resistive. La couche en oxyde de metal a commutation resistive peut avoir une ou plusieurs couches d'oxyde. Un oxyde de metal a commutation resistive peut etre dope avec un dopant qui augmente sa temperature de fusion et ameliore sa stabilite thermique. Les couches peuvent etre formees pour ameliorer la stabilite thermique de l'element de memoire non volatile. Une electrode pour un element de memoire non volatile peut contenir une couche conductrice et une couche tampon.