記憶制御装置、記憶装置、記憶装置システム

【課題】ロジックがメモリのリフレッシュ動作を制御する積層型メモリシステムの構成において、個々のメモリの温度情報に基づいてメモリごとのリフレッシュ動作の頻度を個別に変更可能とする。かつ、複数のメモリとロジックとの間での温度情報入出力のための配線を簡易化する。 【解決手段】メモリ２００において、入力選択温度情報Ｄｔｅｍｐ−３と温度センサー２２０の自己温度情報Ｄｔｅｍｐ−０とを比較して高い方を出力選択温度情報Ｄｔｅｍｐ−１として出力させる。出力選択温度情報Ｄｔｅｍｐ−１と入力選択温度情報Ｄｔｅｍｐ−３のためのマイクロバンプ５００ａ、５００ｂは、それぞれメモリチップの上側面と下側面とで同じ平面位置に配置する。メモリ２００ごとに統合温度用ＴＳＶ４００ｂを同じ位置に形成することで統合温度情報Ｄｔｅｍｐ−２対応の信号路を共有させる。 【選択図】図１１