模拟寿命谱分析 ZnO 正电子寿命

为研究寿命分解对 ZnO 缺陷寿命影响，模拟了 ZnO 中空位浓度在1015～1018 cm－3的含 Zn 空位、Zn 空位氢复合体、Zn＋O 双空位的 ZnO 正电子寿命谱并进行拟合分解。结果表明：当存在多于1种空位型缺陷浓度时，正电子寿命谱仍能很好地分解成2个寿命成分；当多于2种缺陷同时存在时，2个寿命拟合分解出的正电子寿命将出现虚拟寿命；仅利用体寿命模型评价正电子寿命谱分解过程是否合理并不十分可靠，需结合具体情况来判断拟合分解的结果是否具有物理意义。本文研究结果有助于在数据处理上分析 ZnO 中存在的具有争议的正电子体寿命及空位寿命。