Old Web
English
Sign In
Acemap
>
Paper
>
Влияние протонного облучения (15 МэВ) на низкочастотный шум мощных SiC MOSFETs
Влияние протонного облучения (15 МэВ) на низкочастотный шум мощных SiC MOSFETs
2019
А.А. Лебедев
М.Е. Левинштейн
П А Иванов
В. В. Козловский
А.М. Стрельчук
Е. И. Шабунина
L. Fursin
Correction
Source
Cite
Save
Machine Reading By IdeaReader
0
References
0
Citations
NaN
KQI
[]