The method for manufacturing the silicon carbide semiconductor device and a silicon carbide semiconductor device

本発明は、ゲート電流を抑制しゲート信頼性を高めることができる炭化珪素半導体装置及びその製造方法の提供を目的とする。 本発明にかかる炭化珪素半導体装置は、炭化珪素からなるドリフト層２と、ドリフト層２表層に選択的に形成されたベース領域３と、ベース領域３表層に選択的に形成されたソース領域と、ソース領域上に選択的に形成されたソース電極８と、ソース領域に跨って形成されたゲート絶縁膜６と、ゲート絶縁膜６上に形成されたゲート電極７とを備え、ソース領域は、ソース電極８下の第１ソース領域４と、第１ソース領域４を囲む第２ソース領域１０とを有し、第２ソース領域１０表層のドーピング濃度は、第１ソース領域４表層のドーピング濃度よりも低く、第２ソース領域１０のドーピング濃度は、表層部よりも深層部が高い。