ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПЛЕНОК ОКСИДА ГАФНИЯ

В статье представлены результаты исследований диэлектрических характеристик пленок оксида гафния, нанесенных методом DC-реактивного магнетронного распыления Hf-мишени в Ar/O2 -смеси газов без нагрева подложек. Получены зависимости диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь, ширины запрещенной зоны, плотности токов утечки от содержания кислорода в Ar/O2 -смеси газов при нанесении пленок. Установлено, что пленки оксида гафния с хорошими диэлектрическими характеристиками формируются в сравнительно широком диапазоне концентраций кислорода (примерно 12–20 % O2 ). Без нагрева подложек и последующего отжига получены пленки с диэлектрической проницаемостью e = 17–22, тангенсом угла диэлектрических потерь 0.03–0.05 и токами утечки 10–3 А/см при E = 5 × 105 В/см. При этом ширина оптической запрещенной зоны нанесенных пленок составляла 5.7–5.8 эВ.