Conception et caractérisation de circuits intégrés en technologie BiCMOS SiGe pour application de télécommunication en bande X

Les progres de la technologie silicium germanium (SiGe) suscitent sa possible utilisation dans les applications a haute frequence. Les travaux decrit dans ce memoire visent a etudier les potentialites de cette technologie pour la realisation de circuits integres monolithiques (MMIC) faibles bruit dans la bande de 10 GHz. Ce memoire est articule autour de trois chapitres. Le premier rappelle les contraintes auxquelles doit repondre un transistor bipolaire afin d'etre utilisable dans les circuits RF millimetriques. La technologie qu'a developpe STMicroelectronics pour ce domaine d'application est ensuite presentee. Enfin, le travail de caracterisation qui a ete realise afin de valider le comportement des modeles que nous allons utiliser pour concevoir des circuits RF est presente. Le second chapitre est consacre a la conception de circuits amplificateurs a faible bruit. La methode de travail ainsi que les topologies de circuits sont presentees. Le resultat des caracterisations effectuees est ensuite presente. Nous terminons en concluant au sujet des performances en terme de consommation, linearite, gain et facteur de bruit des differents circuits. Le troisieme chapitre aborde la conception de sources radiofrequence a faible bruit de phase. Les differentes topologies de circuits que nous avons etudies sont presentees, ce qui nous a permis de mettre en evidence les topologies offrant les meilleures performances. Enfin, une technique basee sur le principe de degenerescence de bruit, est egalement presentee. Ce travail nous a permis d'integrer sur un circuit MMIC, autour d'un circuit oscillateur de type Colpitts, un dispositif reducteur de bruit. Les resultats theoriques de cette etude ont montre l'efficacite de cette methode.