Process Characterization of PSG and BPSG Plasma Deposition

Le probleme de la fabrication des circuits integres compacts est la topographie des couches dielectriques de separation des niveaux qui doivent etre traversees par les conducteurs metalliques. Il faut que les passages pour les lignes d'interconnexion metalliques soient en pente pour assurer la continuite du depot. Les gradins en pente sont realises par reflux d'un verre de phosphosilicate (PSG) ou d'un verre de borophosphosilicate (BPSG). Caracterisation du depot en phase vapeur accelere par un plasma dans un systeme de plaques paralleles a paroi froide