Old Web
English
Sign In
Acemap
>
Paper
>
固相結晶成長法により作製されたlateral Power MOS FETの温度特性のデバイスパラメータ依存性
固相結晶成長法により作製されたlateral Power MOS FETの温度特性のデバイスパラメータ依存性
1999
masato kodama
takahide sugiyama
tutomu uesugi
Keywords:
Metal gate
Electronic engineering
Silicon on insulator
Materials science
Optoelectronics
Correction
Source
Cite
Save
Machine Reading By IdeaReader
0
References
0
Citations
NaN
KQI
[]