Structure et procede permettant de former un dielectrique interpoly dans un transistor a effet de champ a grille blindee

La presente invention se rapporte a un procede permettant de former un TEC a tranchee a grille blindee, qui consiste : a former une tranchee dans une zone de silicium presentant un premier type de conductivite, la tranchee contenant une electrode de blindage isolee de la zone de silicium par un dielectrique de blindage ; a former, le long d'une surface superieure de l'electrode de blindage, un dielectrique interpoly (IPD) contenant une couche d'oxyde thermique et une couche d'un dielectrique conforme ; a former un dielectrique de grille garnissant au moins la partie superieure des parois laterales de la tranchee ; et a former une electrode de grille dans la tranchee, de facon que l'electrode de grille soit isolee de l'electrode de blindage par l'IPD.