Double façonnage en lithographie, pour améliorer une densité spatiale de caractéristiques

Un procede de formation d'un motif dans au moins une couche de dispositif, dans ou sur un substrat, comprend les etapes consistant a : appliquer une premiere couche de resine photosensible sur la couche de dispositif ; exposer la premiere couche de resine photosensible en utilisant un premier masque ; developper la premiere couche de resine photosensible de facon a former un premier motif sur le substrat ; appliquer une couche de protection sur le substrat ; traiter la couche de protection de facon a provoquer un changement en elle a l'endroit ou elle est en contact avec la premiere couche de resine photosensible, de facon a rendre la couche de protection ainsi modifiee sensiblement immunisee a une etape consecutive d'exposition et/ou de developpement ; appliquer une seconde couche de resine photosensible sur le substrat ; exposer la seconde couche de resine photosensible en utilisant un second masque ; et developper la seconde couche de resine photosensible de facon a former un second motif sur le substrat sans affecter de facon significative le premier motif dans la premiere couche de resine photosensible, les premier et second motifs definissant, ensemble, des caracteristiques intermediaires dont une frequence spatiale est plus elevee que celle des caracteristiques definies dans chacun des premier et second motifs pris separement. Le procede trouve un usage particulier dans la definition de caracteristiques de source, de drain et d'ailette de dispositifs finFET avec une dimension caracteristique qui est reduite par rapport a ce qui peut etre obtenu avec les outils actuellement en vigueur dans le domaine de la lithographie.