Dépôt chimique en phase vapeur de silicium-ozone avec charge de motif réduite à l'aide du dépôt en phase d'incubation

Certains aspects de la presente invention concernent des procedes permettant de deposer des couches enrobantes d'oxyde de silicium sur des substrats a motifs graves. Dans certains modes de realisation, des couches dielectriques sont deposees en faisant couler un precurseur contenant du silicium et de l'ozone dans une chambre de traitement de facon a ce qu'une vitesse de croissance dielectrique relativement uniforme soit obtenue sur toute la surface du substrat a motifs graves ayant des substances heterogenes et/ou une distribution de densite de motifs heterogene. Le depot de couches dielectriques dont la croissance se fait selon les modes de realisation peut presenter une dependance reduite a la densite de la substance et du motif sous-jacents tout en restant approprie pour des applications non sacrificielles. La reduction de la dependance par rapport a la densite du motif s'obtient en interrompant le depot pres de la fin d'une phase d'incubation. Plusieurs cycles de depot peuvent etre effectues en serie puisque la nature benefique de la phase d'incubation peut se repeter apres une pause dans le depot.