Substrat pour transistor à effet de champ, transistor à effet de champ, et procédé de fabrication dudit

Cette invention concerne une structure FinFET a grille π ayant peu d'irregularites au niveau du courant de fuite et une capacite parasitique, et le procede de fabrication de ladite structure. De plus, l'element de structure est ameliore de sorte qu'il temoigne d'une meilleure capacite de suppression du courant de fuite. Un transistor a effet de champ comprend un premier film d'isolation et une region semi-conductrice arrangee de maniere a faire saillie vers le haut relativement a la surface du corps de base, et est muni d'une electrode grille, d'un film de grille d'isolation, et d'une region de source/drain. Un canal est forme au moins sur la surface laterale de la region semi-conductrice. Le premier film d'isolation est place sur une couche interruptrice de gravure faite a partir d'un materiau ayant une vitesse de gravure inferieure au moins a celle de la couche la plus basse du premier film d'isolation pour la gravure sous une condition predefinie.