질소 분극면을 갖는 N형 질화물반도체의 접촉저항 감소를 위한 산소 플라즈마 효과에 관한 연구

본 논문은 N-face n-type GaN 표면에 산소 플라즈마 처리에 의해서 오믹전극과 접촉 저항을 낮추기 위한 연구를 하였다. 120초 산소 플라즈마 처리후 Ti (50 ㎚) / Al (35 ㎚)을 증착한 결과 오믹 전극을 구현하였으며, 1.25×10 -3 Ω㎠의 접촉저항을 보였다. 이는 산소 플라즈마 처리가 기존의 플라즈마 처리와 같이 질소결원이 발생하였기 때문이다. 이를 통해 쇼트키 장벽 높이(SBH)이 낮아지게 되었고, 오믹 전극 및 플라즈마 처리를 안 한 경우보다 더 낮은 접촉저항의 결과를 획득하였다.