Formation de contacts sur des substrats semi-conducteurs destines a des detecteurs de rayonnement et a des dispositifs d'imagerie

Ce procede, concu pour former des contacts (31) metalliques sur un substrat semi-conducteur (1) en des emplacements servant a delimiter des cellules de detection de rayonnement, comprend les etapes consistant a former une ou plusieurs couches de materiau (11, 12) sur une surface du substrat, ainsi que des ouvertures (23) sur la surface du substrat au niveau des emplacements de contact, a former une couche de metal (24) sur la ou les couche(s) de materiau et sur les ouvertures, puis a enlever le metal en (28) recouvrant la ou les couche(s) de materiau afin de separer les contacts individuels. Le cas echeant, on peut appliquer, au cours de ce procede, une couche de passivation (11) a laisser, sur la surface du substrat, entre des contacts individuels. Le procede de l'invention empeche les substances d'attaque chimique, utilisees pour enlever l'or non voulu (ou une autre matiere de contact), d'entrer en contact avec la surface du substrat (par exemple CdZnTe) et de provoquer la degradation des proprietes resistives de celui-ci. On decrit egalement le produit obtenu a l'aide de ce procede, ainsi que les utilisations de celui-ci.