Memoires multibit a base de nanocrystaux metalliques et leur procede de fabrication

L'invention concerne des memoires a base de nanocristaux metalliques fabriquees de maniere a fournir des densites d'etats superieures, des couplages plus solides avec le canal et une meilleure variabilite dimensionnelle, disponibles avec des dispositifs a base de nanocristaux semi-conducteurs. L'invention concerne egalement un procede de formation de nanocristaux autoassembles par recuit thermique rapide d'une couche de metal ultrafine deposee sur un oxyde de grille integre avec un NMOSFET pour la fabrication de ces dispositifs. L'invention concerne egalement des dispositifs contenant des nanocristaux d'Au, d'Ag et de Pt, travaillant en regime tunnel de type Fowler-Nordheim, avec injection de porteurs chauds comme mecanisme de programmation, presentant des temps de retention allant jusqu'a 106s et offrant une capacite de stockage de 2 bits par cellule.