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220nmシリコンフォトニクスプラットフォームに集積したOバンドGeSi量子閉込めStark効果電界吸収変調器【JST・京大機械翻訳】
220nmシリコンフォトニクスプラットフォームに集積したOバンドGeSi量子閉込めStark効果電界吸収変調器【JST・京大機械翻訳】
2020
Porret Mr Clement
Srinivasan Ashwyn
Balakrishnan Sadhishkumar
Verheyen Peter
Favia Paola
Bender Hugo
Ong Patrick
Loo Mr Roger
van Campenhout Joris
Pantouvaki Marianna
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