Procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteurs

L'invention concerne un procede de fabrication d'un dispositif a semi-conducteurs ayant un motif minuscule, plus petit que le plus petit motif pouvant etre forme au moyen d'un traitement par photolithographie. Le procede de fabrication du dispositif a semi-conducteurs comprend : la formation d'une couche de silicium sur un substrat ; la formation d'une couche de photoresine sur la surface superieure de la couche de silicium ; l'exposition de la couche de photoresine ; le developpement de la couche de photoresine exposee ; la formation d'un motif sur la couche de silicium en utilisant la couche de photoresine en tant que masque ; et le retrait de la couche de photoresine ; la formation d'une couche isolante ; et l'ajustage du motif forme sur le substrat de silicium.