Direct band gap luminescence from Ge on Si pin diodes

金者(Ge ) 大头针光电二极管在房间温度显示出清楚的直接乐队差距排放，作为在在光致发光(PL ) 和 electroluminescence (EL ) 的体积硅上成年。因为可见激光光刺激(532 nm ) 的强壮的吸收， PL 与高度做的 Ge 源自最高的接触层。EL 在 undoped 源自注射搬运人的再结合内在的层。在为 PL (0.73 eV ) 和 EL (0.80 eV ) 的山峰位置的差别被乐队差距从在 n+ 顶层的高做变窄解释。当伪费密精力水平升起进传导乐队时，有当前的密度的 EL 的 superlinear 增加被直接 / 间接的电子密度的升起的比率解释。为直接 / 间接的电子密度比率的一个分析模型用简化假设被给。