Procédé de dopage de structures semi-conductrices et dispositif semi-conducteur associé

La presente invention se rapporte a un procede d’introduction d’especes dans une couche semi-conductrice contrainte comprenant les etapes consistant a : l’utilisation d’un substrat comprenant une premiere region comprenant une couche semi-conductrice contrainte exposee, charger le substrat dans une chambre de reaction, puis former une couche d’enrobage contenant des premieres especes par depot en phase vapeur (VPD) au moins sur la couche semi-conductrice contrainte exposee, et effectuer ensuite un traitement thermique, ce qui permet de diffuser au moins une partie des premieres especes provenant de la couche contenant des premieres especes dans la couche semi-conductrice contrainte et d’activer au moins une partie des premieres especes diffusees dans la couche semi-conductrice contrainte.