Substrat de support, stratifié, et procédé de fabrication de dispositif électronique

La presente invention concerne un substrat de support qui presente un excellent rendement de fabrication de dispositifs electroniques meme lorsque le substrat de support est reutilise de multiples fois pour fabriquer les dispositifs electroniques. La presente invention concerne le substrat de support qui est utilise en etant stratifie sur un substrat lors de la fabrication d'un element destine a un dispositif electronique sur une surface du substrat, ledit substrat de support comprenant au moins un premier substrat de verre qui presente un compactage inferieur ou egal a 80 ppm. Le compactage designe le retrait en pourcentage du premier substrat de verre lorsque le premier substrat de verre est chauffe a 600 °C pendant 80 minutes en augmentant la temperature de la temperature ambiante jusqu'a 600 °C a 100 °C/heure, et ensuite refroidi jusqu'a la temperature ambiante en abaissant la temperature a 100 °C/heure.