Dispositif à semi-conducteur au carbure de silicium et procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteur au carbure de silicium

L'invention concerne un dispositif a semi-conducteur au carbure de silicium qui comprend : une paire de premieres zones de puits (30) qui sont formees dans une partie couche superficielle d'une couche de migration en carbure de silicium (20) a une distance W1 l'une de l'autre et possedent une concentration d'impuretes du type p qui est superieure a la concentration d'impuretes du type n de la couche de migration en carbure de silicium (20) ; une paire de secondes zones de puits (31) qui sont formees adjacentes aux parties inferieures des premieres zones de puits (30) a une distance W2 l'une de l'autre, ladite distance W2 etant superieure de 0,8 µm ou plus a la distance W1, et qui possedent une concentration d'impuretes du type p qui est superieure a la concentration d'impuretes du type n de la couche de migration en carbure de silicium (20), tout en presentant une taille de 1,1 fois a 4,2 fois (inclus) celle des premieres zones de puits (30) ; et une zone JFET a haute concentration (22) qui est formee entre les deux premieres zones de puits (30) et entre les deux secondes zones de puits (31) et possede une concentration d'impuretes du type n qui est superieure a la concentration d'impuretes du type n de la couche de migration en carbure de silicium (20) mais inferieure a la concentration d'impuretes du type p de la seconde zone de puits (31). Ce dispositif a semi-conducteur au carbure de silicium est susceptible de reduire le courant de fuite, tout en supprimant l'augmentation de la tension a l'etat passant.