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Acemap > Paper > 27pEH-11 半導体ナノギャップ構造による近接場増強の解析(27pEH 領域5,領域1合同 メタマテリアル・プラズモニクス・顕微・近接場分光・表面,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))

27pEH-11 半導体ナノギャップ構造による近接場増強の解析(27pEH 領域5,領域1合同 メタマテリアル・プラズモニクス・顕微・近接場分光・表面,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))

2013 
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