O método semi-empírico "Tight Binding" aplicado ao cálculo da estrutura de bandas, densidade de estados, vacância ideal e função dielétrica em semicondutores

Usando o metodo semi-empirico "Tight Binding", aproximacao de primeiros vizinhos e uma base sp3s*, onde s* e um pseudo estado excitado, o qual substitui os estados excitados de outras interacoes (modelo de Vogi), recalculamos a estrutura de bandas de 16 semicondutores com estrutura zincblenda e aplicamos o metodo para CdTe. A partir da estrutura de bandas, calculamos entao, vacâncias ideais nesses mesmos semicondutores, assim como a parte imaginaria da funcao dieletrica. Calculamos tambem as bandas de valencia do composto ionico NaCl. Os resultados mostraram-se em boa concordância com resultados experimentais e teoricos obtidos por outros metodos, o que e altamente satisfatorio, visto que com os demais modelos "Tight Binding" nao era possivel obter resultados realisticos para a maioria das propriedades Abstract