Procédé de gravure de substrat semi-conducteur, liquide de gravure, procédé de fabrication d'élément semi-conducteur, et kit de liquide de gravure

L'invention concerne un procede de gravure, selon lequel lors du traitement d'un substrat possedant une premiere couche contenant un nitrure de titane (TiN), et une seconde couche contenant un metal de transition, a l'aide d'un dispositif a feuille unique, la premiere couche est retiree en priorite par mise en contact avec le substrat d'un liquide de gravure de pH superieur ou egal a 1 contenant un oxydant ainsi qu'un compose fluore specifique choisi parmi un sel de metal d'acide fluorhydrique et un sel d'ammonium.