薄膜デバイスの製造方法、薄膜デバイス、液晶表示装置およびエレクトロルミネッセンス表示装置

2004 
【課題】分子間力のみ、または分子間力と真空吸着力の両方により、素子形成基板と支持基板と接合されている状態で素子形成基板に薄膜デバイス層を形成した後、素子形成基板より支持基板を分離することで、既存の装置と既存のプロセスを使用し、かつ薄膜デバイス層を形成した後に大量の薬液を使わずに、基板を薄くした薄膜デバイスを得ることを可能とする。 【解決手段】支持基板11に支えられた素子形成基板12に薄膜デバイス層13を形成する薄膜デバイス10の製造方法であって、前記支持基板11と前記素子形成基板12とは、分子間力のみ、または分子間力と真空吸着力の両方により接合されており、前記薄膜デバイス層13を形成した後に前記支持基板11と前記素子形成基板12とが分離されるものである。 【選択図】図1
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