CFn* radical assisted-ion beam etching (RAIBE) of silicon

La gravure du silicium, sous faisceau d'ions Ar + en synergie avec des radicaux CF n * (RAIBE), a ete etudiee en aval d'un plasma DC alimente en CF 4 . La production de SiF 4 en fonction du temps fournit la signature de gravure du silicium tandis que son etat de surface apres gravure est analyse par ellipsometrie et spectrometrie d'electrons Auger. Il est demontre que: i) pour une valeur faible du flux de radicaux, estimee a 0.6×10 16 part/cm 2 /s, le rapport des vitesses de gravure RAIBE et IBE sous ions Ar + seuls est egal a l'unite; ii) l'augmentation du flux de radicaux CF n * entraine la decroissance de ce rapport RAIBE/IBE qui vaut 0.8 pour un flux d'especes reactives de 1.7×10 16 part/cm 2 /s, correspondant a une pression de CF 4 de 8.10 −4 mbar dans la source de plasma.