絶縁膜形成方法、半導体装置、および基板処理装置

【課題】ＡＬＤ法により膜厚均一性と膜組成均一性とが共に良好な絶縁膜を形成することが可能な絶縁膜形成方法および基板処理装置を提供する。 【解決手段】絶縁膜形成方法において、基板に小流量のＯ ３ を供給し、非平衡状態で基板上のＨｆと反応させハフニウム酸化膜を形成するサイクルＡをＭ回（Ｍ≧１）行った後、基板に大流量のＯ ３ を供給し、平衡状態で基板上のＨｆと反応させハフニウム酸化膜を形成するサイクルＢをＮ回（Ｎ≧１）行う絶縁膜形成サイクルを１シーケンスとする。所望の膜厚までシーケンスを繰り返し、目的の絶縁膜を形成する。 【選択図】図２