Depot en cycle de films basse temperature dans une chambre de traitement de plaquette unique a paroi froide

La presente invention concerne un procede de depot de film qui consiste a ecouler un premier gaz reactif sur la surface superieure d'une plaquette placee dans une chambre de traitement de plaquette unique a paroi froide de facon a former une premiere demi-couche du film sur la plaquette, a arreter l'ecoulement du premier gaz reactif, a retirer le premier gaz reactif residuel de la chambre de traitement de plaquette unique a paroi froide, a ecouler un second gaz reactif sur la premiere demi-couche de facon a former une seconde demi-couche du film, le depot de cette seconde demi-couche n'etant pas a auto-limitation, a commander l'epaisseur de cette seconde demi-couche par la regulation des parametres de traitement dans la chambre de traitement de plaquette unique a paroi froide, a arreter l'ecoulement du second gaz reactif et a retirer le second gaz reactif residuel de la chambre de traitement de plaquette unique a paroi froide.