형광체 구조물과 그 제조방법 및 이를 적용한 발광다이오드 제조방법

본 발명은 침강 억제형 형광체 구조물과 그 제조방법 및 이를 적용한 발광다이오드 제조방법에 관한 것으로서, 침강억제형 형광체 구조물은 형광체 입자와, 형광체 입자를 에워싸게 형광체 입자의 표면에 투명수지로 코팅된 코팅층을 구비하고, 형광체 입자의 입경은 3 내지 25㎛이고, 코팅층의 두께는 형광체 입자의 반경에 대해 0.5 배 내지 3배가 되게 형성하며, 코팅층의 밀도는 1 내지 1.5g/cc 또는 형광체 입자의 밀도에 대해 1/3 내지 1/5의 밀도를 갖는 것을 적용한다. 이러한 침강 억제형 형광체 구조물과 그 제조방법 및 이를 적용한 발광다이오드 제조방법에 의하면, 형광체의 침강속도를 저감시켜 발광효율을 향상시킬 수 있는 발광다이오드를 제조할 수 있는 장점을 제공한다.