Circuits intégrés CMOS sur silicium

Les circuits integres CMOS avances sont desormais implementes dans des technologies dites a film mince (FinFET, FDSOI), afin d’ameliorer le controle electrostatique du canal. Cet article presente brievement ces technologies et introduit les techniques de caracterisation electriques. La conception de circuits integres necessite l’utilisation de portes logiques, dont l’implementation est decrite, ainsi que d’un flot de conception numerique : ce flot est scinde en deux parties, a savoir la conception Front-End et l’implementation Back-End, correspondant a deux metiers differents. Enfin, des perspectives sont donnees avant la conclusion.