Effect of intergrowth defects on the X-ray diffraction pattern II. A case study of Bi-based superconductors

In Part I a general equation was derived for the intensity diffracted by a matrix phase containing intergrowths. It was applied to the case of Bi2Sr2Can-1CunOy phases (n = 2, 3) with stacking defects (“wrong” number n of Cu-O planes in a half-cell). A least-squares program based on this equation yields the nature, concentration, and short-range order of the defect intergrowths. The program uses the peak shifts which are induced by the presence of defects. The analysis is exemplified on several BSCCO samples, whose defect state informs about the formation steps of the superconducting phases. Dans part I, une equation a ete etablie pour l'intensite diffractee par une phase contenant des defauts d'intercroissance. Elle a ete appliquee au cas des phases Bi2Sr2Can-1CunOy (n = 2,3) avec defauts (nombre n d'“incorrect” couches de Cu-O dans une demi-cellule). Un programme base sur cette equation fournit la nature, concentration et ordre a courte distance de ces defauts, en utilisant le deplacement des raies dont ils sont la cause. Cette analyse est poursuivie pour des echantillons de BSCCO. Les defauts qu'on y trouve informent sur les etapes d'evolution structurale des phases.