Substrat à base de nitrure d'élément du groupe iii, substrat présentant une couche épitaxiale, procédé de fabrication de ces substrats et procédé de fabrication d'un élément semiconducteur

L'invention porte sur un substrat de nitrure d'un element du Groupe III sur lequel une couche epitaxiale de bonne qualite peut etre amenee a croitre, et sur un procede de fabrication du substrat. Le substrat a base de nitrure d'un element du Groupe III peut etre un substrat de GaN (1) qui satisfait n'importe laquelle des exigences suivantes : Il a une surface (3) dans laquelle le nombre d'atomes constituant toute(s) substance(s) acide(s) est de 2x1014 ou moins par cm² et le nombre d'atomes de silicium est de 3x1013 ou moins par cm²; Il a une surface (3) dans laquelle le nombre d'atomes de silicium est de 3x1013 ou moins par cm² et qui a un taux de voile de 5 ppm ou moins; Il a une surface (3) dans laquelle le nombre d'atomes constituant toute(s) substance(s) acide(s) est de 2x1014 ou moins par cm² et qui a un taux de voile de 5 ppm ou moins.