Agencement semi-conducteur présentant des transistors à effet de champ à appauvrissement couplés

L'invention concerne un agencement semi-conducteur, comportant un premier transistor a effet de champ a appauvrissement et un second transistor a effet de champ a appauvrissement, dans lequel chaque transistor a effet de champ a appauvrissement comprend un corps semi-conducteur (116) d'un premier type de conduction, qui est connecte par une electrode source (S1 ; S2) et une electrode drain (D) situee a un intervalle de celle-ci, de sorte qu'un trajet de courant est forme dans le corps semi-conducteur entre l'electrode source et l'electrode drain, et, dans le secteur du trajet de courant, des zones (117, 139, 122 ; 140, 128, 124) prevues dans le corps semi-conducteur de l'autre type de conduction, oppose au premier type de conduction, qui sont connectees par une electrode grille (G1 ; G2) et constituent des zones de charge d'espace controlant le trajet de courant dans le corps semi-conducteur (116), les electrodes drains des deux transistors a effet de champ a appauvrissement etant court-circuitees, et les electrodes sources (S1) du premier transistor a effet de champ etant court-circuitees avec l'electrode grille (G2) du second transistor a effet de champ a appauvrissement, et concerne un agencement de commutation comprenant un agencement semi-conducteur qui comprend un element de commutation (104) controle par le potentiel de l'electrode source (S2) du deuxieme transistor a effet de champ a appauvrissement, grâce auquel l'electrode grille (G1) et l'electrode source (S1) du premier transistor a effet de champ a appauvrissement peuvent etre reliees avec une difference de potentiel agrandissant les zones de charge d'espace.