Caracterización Estructural Del Compuesto Semiconductor Laminar TlInS2 Por Microscopia Electrónica De Transmisión De Alta Resolución

Estudios de difraccion de rayos-X, Microscopia Electronica de Barrido, Microscopia Electronica de Alta Resolucion, se han realizado del material semiconductor laminar TlInS2 para dilucidar su estructura cristalina, la cual ha permanecido ambigua a traves de varias decadas. De igual manera, en trabajos recientes se ha reportado que este material en condiciones ambientales puede cristalizar en varios politipos con estructura monoclinica, los cuales pueden estar presentes en una misma muestra. En este estudio se encontro que el TlInS2 cristaliza a temperatura ambiente en la estructura monoclinica, grupo espacial C2/c, con parametros de red a = 8.609 A, b = 14.904 A, c = 9.471 A, β = 110.44°, no se encontro la presencia de mas de un politipo en la muestra estudiada. Adicionalmente los resultados obtenidos han sido comparados con los derivados previamente a traves de un analisis de los modos de vibracion del compuesto por medio de Espectroscopia Raman.