Magnetic Susceptibility of Electrons in Quantum Wires of Wide-Gap Semiconductors

A transverse perturbing magnetic field is assumed to be applied to a rectangular quantum wire of a wide-gap semicondutor, to determine the magnetic susceptibilities of electrons. The computations are perfomed for a low value of the temperature, taking degenerate n-GaAs as an example of such semiconductors, It is interesting to note that, not only the paramagnetic-to-diamagnetic susceptibility ratio for electrons in a semiconducting quantum wire deviates from that (⅓) in conventional semiconductors, but also that there is a critical region, governed by the concentration of the electrons and the transverse dimensions of the wire within quenching of the diamagnetism occurs. Um die magnetischen Suszeptibilitaten der Elektronen zu bestimmen, wird ein transversales magnetisches Storungsfeld angenommen, das an einen rechtwinkligen Quantendraht eines breeitluckigen Halbleiters angelegt wird. Die Rechnungen werden fur einen niedrigen Temperaturwert durchgefuhrt mit entartetem n-GaAs als Beispiel fur einen solchen Halbleiter. Es ist interessant, das nicht nur das Verhaltnis von paramagnetischer zu diamagnetischer Suszeptibilitat in einem halbleitenden Quantendraht von dem in einem konventionellen Halbleiter (⅓) abweicht, sondern das auch ein kritischer Bereich existiert, der druch die Konzentration der Elektronen und die transversalen Abmessungen des Drahts gesteuert wird, in dem Tilgung des Diamagnetismus auftritt.