Procédés de croissance épitaxiale de carbure de silicium

Cette invention concerne un procede de croissance epitaxiale du SiC, le procede comprenant la mise en contact d'une surface de substrat avec de l'hydrogene et HCl, puis l'elevation de la temperature du substrat jusqu'a au moins 1550°C et la croissance epitaxiale du SiC sur la surface du substrat. Un procede de croissance epitaxiale du SiC est egalement decrit, le procede comprenant le chauffage d'un substrat jusqu'a une temperature d'au moins 1550°C, la mise en contact d'une surface du substrat avec un gaz contenant du C et un gaz contenant du Si a un rapport C/Si de 0,5 a 0,8 pour former une couche tampon de SiC, puis la mise en contact de la surface avec un gaz contenant du C et un gaz contenant du Si a un rapport C/Si > 0,8 pour former une couche epitaxiale de SiC sur la couche tampon de SiC. Le procede selon l'invention donne des couches epitaxiales de carbure de silicium ayant une morphologie de surface amelioree.