Composition de pâte de masquage, élément semi-conducteur obtenu au moyen de celle-ci et procédé de production d'élément semi-conducteur

L'invention concerne une composition de pâte de masquage presentant des proprietes superieures de masquage et de resistance au craquelage dans une etape de dispersion d'impuretes apres application, des proprietes superieures de formation de motif pendant l'application et une stabilite superieure au stockage de la solution avant traitement. Ladite composition de pâte de masquage est caracterisee en ce qu'elle comprend (a) un polysiloxane specifique, (b) des particules de silice presentant une taille moyenne des particules de 150 nm au maximum et (c) un solvant presentant un point d'ebullition d'au moins 130° C, la masse moleculaire moyenne en poids du polysiloxane (a) etant d'au moins 1000, les particules de silice presentes dans la fraction solide de la composition representant 20-70 % en poids inclus, et les concentrations de P, B et Al de la composition totale etant chacune de 20 ppm au maximum.