Ensemble destiné à un appareil d'exposition par projection pour une lithographie par projection d'euv

L'invention se rapporte a un ensemble qui est destine a un appareil d'exposition par projection pour une lithographie par projection d'EUV et qui comprend une unite optique d'eclairage concue pour guider la lumiere d'eclairage vers un champ d'eclairage, un masque lithographique pouvant etre dispose dans cette unite. Ladite unite optique d'eclairage comporte un premier miroir a facettes (19) qui presente une pluralite de reseaux de miroirs (26) composes respectivement d'une pluralite de miroirs individuels (27). Ces miroirs individuels (27) definissent des canaux d'eclairage a miroir individuels prevus pour guider des faisceaux partiels de la lumiere d'eclairage vers le champ d'eclairage. Les reseaux de miroirs (26) du premier miroir a facettes (19) sont places dans une superstructure de reseaux. Des interstices (28) s'etendent dans au moins une direction principale (HRα) entre des reseaux voisins faisant partie des reseaux de miroirs (26). En outre, l'unite optique d'eclairage comporte un second miroir a facettes qui presente une pluralite de facettes, ces facettes contribuant respectivement a l'imagerie d'un groupe de miroirs parmi les miroirs individuels (27) du miroir a facettes de champ (19) dans le champ d'eclairage par le biais d'un canal d'eclairage a miroir de groupe. Ledit ensemble comprend egalement : une unite optique de projection qui est concue pour imager dans un champ d'image un champ d'objet se trouvant dans le champ d'eclairage ; ainsi qu'un element de support d'objet qui est prevu pour porter le masque lithographique dans le champ d'objet, l'element de support d'objet pouvant se deplacer dans une direction de deplacement (y). Ladite direction principale (HRα) forme l'angle (α) le plus petit avec la direction de deplacement (y), cet angle le plus petit etant compris entre 20 et 44°. Ainsi, il est possible d'obtenir un ensemble dans lequel les eventuels interstices entre les reseaux de miroirs ont peu d'effets negatifs sur l'homogeneite de l'eclairage du champ d'eclairage.