Development of the Radiation Sensitivity of PMOS Dosimeters1 DCveloppment de la SensibilitC aux Radiations de Dosim5tres PMOS

PMOS dosimeters have applications in spacecraft, medicine and personnel dosimetry, Their suitability to a particular application depends on the sensitivity of the gate oxide to radiation. The aim of this paper Is to examine the effect of gate oxide growth conditions on the sensitivity of the NMRC's PMOS RADFET, which has a 400nm dry/wet/dry gate oxide. The necessity for t his evaluation arises because existing published results do not address the sensitivity of drylwetldry oxides in the range 100nm-1000nm. This paper clearly shows that for the NMRC's RADFET gate oxide an optimum set of processing conditions exist. These will allow maximum radiation Sensitivity to be obtained from the NMRC's PMOS dosimeters. Resume- Les d oslmetres P MOS ont d es applications en aerospatial, medecine et dosimetric personnelle, cependant leur utilisation A des applications particulieres depend de la sensibilitk de l'oxyde de grille PMOS. L'objet de cet article est d'examiner les effects des conditions de croissance de l'oxyde de grille sur la sensibilitC des RADFET PMOS. Le dosimbtre PMOS dkveloppk A NMRC a un oxyde sechumidelsec de 400nm et la necessite de cette evaluation est suscitee par l'absence de publication traitant de la sensibilitk des oxydes sec/humide/sec de lOOnm A 1000nm. Cet article montre clairement que, pour I'oxyde de grille RADFET de NMRC, des conditions optimales de fabrication existent. Celles-ci permettront d'obtenir une sensibilite maximale aux radiations avec les dosimetres PMOS fabriquks a NMRC.