Élément de transistor à couches minces et son procédé de production, élément d'écran électroluminescent organique et écran électroluminescent organique

Un substrat de transistor a couches minces est dote d'electrodes de grille (1012a, 1012b) qui sont formees sur un substrat (1011) et d'une couche isolante (1013) qui recouvre leurs parties superieures. La partie superieure de la couche isolante (1013) est pourvue d'electrodes de source (1014a, 1014b) et d'electrodes de drain (1014c, 1014d) qui sont formees sur celle-ci, des intervalles etant prevus entre lesdites electrodes dans la direction de l'axe Y, et d'un câblage de connexion (1015) qui est egalement forme sur celle-ci. Le câblage de connexion (1015) est connecte a l'electrode de drain (1014c). La partie superieure de la couche isolante (1013) est egalement equipee de cloisons (1016) qui sont formees sur celle-ci en vue de delimiter des ouvertures (1016a-1016c) de maniere a exposer les electrodes (1014a-1014d) et le câblage de connexion (1015). A l'interieur de l'ouverture (1016b), le centre (L 3 ) dans la direction de l'axe X de la surface totale de l'electrode de source (1014a) et de l'electrode de drain (1014c) est decale vers le cote droit dans la direction de l'axe X uniquement d'une distance (X 1 ) par rapport au centre (L 1 ) du fond de l'ouverture (1016b). La repulsion au liquide des cloisons (1016), de la couche isolante (1013) et des electrodes (1014a, 1014c) va de la plus elevee a la moins elevee dans cet ordre.