Improving the electrical performance of resistive switching memory using doping technology

在这篇论文，用做技术的抵抗随机的存取记忆(RRAM ) 的改进被总结并且分析。基于一台 Cu/ZrO2/Pt 设备，有 Ti 离子的三做技术， Cu，和 Cu nanocrystal 分别地，在实验被采用。比作一台 undoped 设备，改进集中于四个点：消除 electroforming 过程，减少操作电压，改进电的一致性，并且增加设备产量。另外，高电阻状态的热稳定性和更好的保留被做的技术也完成。我们证明那种做的技术是改进 RRAM 的电的表演的一个有效方法。