Old Web
两个子带占据的In0·53Ga0·47As/In0·52Al0·48As量子阱中填充因子的变化规律
2008
研究了低温（1·5K）和强磁场（0—13T）条件下,InP基In0·53Ga0·47As/In0·52Al0·48As量子阱中电子占据两个子带时填充因子随磁场的变化规律.结果表明,在电子自旋分裂能远小于朗道能级展宽的情况下,如果两个子带分裂能是朗道分裂能的整数倍时,即ΔE21=kωc（其中k为整数）,填充因子为偶数;当两个子带分裂能为朗道分裂能的半奇数倍时,即ΔE21=（2k＋1）ωc/2,填充因子出现奇数.
- Correction
- Source
- Cite
- Save
- Machine Reading By IdeaReader
0
References
0
Citations
NaN
KQI