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Al 2 O 3 -InGaAs MOSデバイスにおけるボーダートラップにおける分散モデル | 文献情報 | J-GLOBAL 科学技術総合リンクセンター
Al 2 O 3 -InGaAs MOSデバイスにおけるボーダートラップにおける分散モデル | 文献情報 | J-GLOBAL 科学技術総合リンクセンター
2011
Yuan Yu
Wang Lingquan
Yu Bo
Shin Byungha
Ahn Jaesoo
C McIntyre Paul
M Asbeck Peter
J W Rodwell Mark
Taur Yuan
Keywords:
Engineering physics
Analytical chemistry
Chemistry
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