Dispositif de recuit de tranchée de dispositif à semi-conducteur de carbure de silicium vertical, procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteur de carbure de silicium vertical, et dispositif à semi-conducteur de carbure de silicium vertical

Un dispositif de recuit d'une tranchee d'un dispositif a semi-conducteur de carbure de silicium vertical presente une chambre, un etage de placement de plaquette, un element de revetement de carbure de silicium, et un generateur a haute frequence ainsi qu'une bobine. De l'hydrogene gazeux peut etre injecte dans la chambre et evacue de celle-ci, et le compartiment peut etre mis sous vide. L'etage de placement de plaquette est dispose a l'interieur de la chambre. L'element de revetement de carbure de silicium est dispose de maniere a recouvrir l'etage de placement de plaquette a partir du dessus et du dessous. Le generateur a haute frequence et la bobine chauffent par induction l'element de revetement de carbure de silicium. L'element de revetement de carbure de silicium est chauffe par induction et grave quasiment a equilibre thermique, laquelle chambre est chargee avec de l'hydrogene gazeux et mise sous vide, et une tranchee est recuite par le silicium fourni par l'element de revetement de carbure de silicium.