集積回路のパターンレイアウト、フォトマスク、半導体装置の製造方法、及びデータ作成方法

【課題】 ライン＆スペースのパターンの端部においてもパターンの解像性を高めることができ、且つリソグラフィマージンの低下やＣＡＤ処理時間の増大を抑制する。 【解決手段】 集積回路に露光すべきパターンが形成されたフォトマスクであって、一方向に対する一定間隔の固定ピッチ上にラインとスペースが交互に配列された第１のデバイスパターン１０と、第１のデバイスパターン１０の配列方向端部に離間して配置され、固定ピッチの３倍以上の奇数倍の幅を有する第２のデバイスパターン２０と、第１及び第２のデバイスパターン１０，２０間に配置され、固定ピッチ上にラインとスペースが交互に配置された、回路動作に影響を与えないダミーパターン３０と、第２のデバイスパターン内２０で固定ピッチに配置された、露光によって解像されない補助パターン２１ａ，２２ａと、を有する。 【選択図】図６