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サブ60mV/サブしきい値スイング,無視できるヒステリシス,と改良されたI_dsを持つ強誘電性HfZrO_x GeとGeSn PMOSFET【Powered by NICT】
サブ60mV/サブしきい値スイング,無視できるヒステリシス,と改良されたI_dsを持つ強誘電性HfZrO_x GeとGeSn PMOSFET【Powered by NICT】
2016
Zhou Jiuren
Han Genquan
Li Qinglong
Peng Yue
Lu Xiaoli
Zhang Chunfu
Zhang Jincheng
Sun Qing-qing
Zhang David Wei
Hao Yue
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